氧化铟
杂质要求
| In2O3含量：99.99%，（其它杂质以％计） | |||
氯化物<=0.001 | 硫酸盐<= 0.002 | 氮化合物<=0.003 | Cu <=0.0002 |
Pb <=0.0004 | Cd <=0.00079 | Ti <=0.0003 | Sn <=0.00063 |
Al<=0.0002 | Fe <=0.0015 | Ag<=0.00005 | 其它再议 |
包装
本产品可按用户要求，装入塑料桶，热塑套管封口。
包装（Package）： 20公斤/袋
用途
电阻式触摸屏中经常使用的原材料，主要用于荧光屏、玻璃、陶瓷、化学试剂等。另外，广泛应用于有色玻璃、陶瓷、碱锰电池代汞缓蚀剂 、化学试剂等传统领域。近年来大量应用于光电行业等高新技术领域和军事领域，特别适用于加工为铟锡氧化物(ITO)靶材，制造透明电极和透明热反射体材料，用于生产平面液晶显示器和除雾冰器。
毒理学数据
急性毒性：大鼠口经LD：>10gm/kg；小鼠引入腹膜LDLo：5gm/kg；小鼠口经LDLo：10gm/kg[1]
生态学数据
通常来说对水是无害的，若无政府许可，勿将材料排入周围环境。[1]
分子结构数据
1、单一同位素质量：277.7925 Da
2、标称质量：278 Da
3、平均质量：277.6342 Da[1]
计算化学数据
1.疏水参数计算参考值（XlogP）:无
2.氢键供体数量:0
3.氢键受体数量:3
4.可旋转化学键数量:0
5.互变异构体数量：无
6.拓扑分子极性表面积3
7.重原子数量:5
8.表面电荷:0
9.复杂度:0
10.同位素原子数量:0
11.确定原子立构中心数量:0
12.不确定原子立构中心数量:0
13.确定化学键立构中心数量:0
14.不确定化学键立构中心数量:0
15.共价键单元数量:5[1]
性质与稳定性
在氢气或其他还原剂存在下，加热至400～500℃可还原成金属铟或低价铟的氧化物。
在高温下分解为低级氧化物。另外，在高温下可与金属铟发生反应，低温灼烧生成的InO虽易溶于酸，但经过高温处理得越完全就越难溶，吸湿性也消失了。三氧化二铟在赤热状态下用氢气还原时，则生成金属铟。[1]
贮存方法
保持贮藏器密封、储存在阴凉、干燥的地方，确保工作间有良好的通风或排气装置。[1]
合成方法
1.将高纯金属铟在空气中燃烧或将碳酸铟煅烧生成InO、InO、InO，精细控制还原条件可制得高纯InO。也可用喷雾燃烧工艺制得平均粒径为20nm的三氧化二铟陶瓷粉。
2.将氢氧化铟灼烧制备三氧化二铟时，温度过高的话，InO有热分解的可能性，若温度过低则难以完全脱水，而且生成的氧化物具有吸湿性，因此，加热温度和时间是重要的因素。另外，因为InO容易被还原，所以必须经常保持在氧化气氛中。
3.将氢氧化铟在空气中，于850℃灼烧至恒重，生成InO，再在空气中于1000℃加热30min。其他硝酸铟、碳酸铟、硫酸铟在空气中灼烧也可以制得三氧化二铟。[1]
用途
1.用作光谱纯试剂和电子元件的材料等
2.用于金属反射镜面的保护涂层、光电显示半导体薄膜，也用于制造铟盐、玻璃。[1]
安全信息
危险运输编码：UN 1993 3/PG 2
危险品标志：刺激
安全标识：S26S36
危险标识：R36/37/38
参考资料
[1] 纳米氧化铟制备的研究进展 · CNKI[引用日期2018-02-24]